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        產品圖片
        BBO
              BBO晶體(β相偏硼酸鋇晶體,β-BaB2O4)可透過波段范圍寬(190—3500nm),具有高損傷域值,光學均勻性好,在飛秒激光方面有著廣泛的應用。
        • 詳情介紹
        • 標準產品
        • 基本性質
        • 山東辰晶光電的BBO晶體優勢:

              ● 可實現相位匹配的波段范圍寬(409.6-3500nm);
              ● 可透過波段范圍寬(190-3500nm);
              ● 倍頻轉換效率高(相當于KDP晶體的6倍);
              ● 光學均勻性好(δn≈10-6/cm);
              ● 高損傷閾值(100ps脈寬的1064nm10GW/cm2);
              ●
           溫度接收角寬(55℃左右)。


          BBO晶體的主要應用:
              ● Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻;
              ● 染料激光的倍頻,三倍頻和混頻;
              ● Ti:Sapphire和Alexandrite激光的二、三、四倍頻;
              ● 光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO);
              ● 氬離子,紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻;
              ● 在全固
          態可調激光,超快脈沖激光,深紫外激光等高、精、尖激光技術領域的研發領域 ;

              ● 高頻電光調Q晶體


        • 尺寸公差

          (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm) 
          (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.1/-0.1mm) (L<2.5mm)

          角度公差 

          Δθ≤0.25°  Δφ≤0.25°

          通過口徑

          90% of central area

          倒邊

          ≤ [email protected]

          倒角

          ≤ 0.1mm

          抗損閾值
          [GW/cm2 ]

          > 1 TEM00,10ns,10HZ(uncoated)
          > 0.5 for 1064nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated)
          > 0.3 for 532nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated) 

          平面度

          [email protected]

          平行度

          < 20"

          垂直度

          ≤ 5' 

          光潔度[S/D]

          < 10/5

          波前畸變

          [email protected]

          內部質量

          50mW綠光檢測無可見散射路徑



        • 透過波段

          190nm-3500nm

          可實現相位匹配的波段范圍寬

          409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

          熱光系數

          dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

          吸收系數

          <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

          接受角

          0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
          1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

          溫度接收角寬

          55 ℃·cm-1

          光譜接收

          1.1 nm·cm-1

          走離角

          2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

          非線性系數

          deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
          deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

          非線性磁化系數

          d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

          Sellmeier方程 (λ in μm )

          no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
          ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

          電光系數

          r22=2.7 pm/V

          半波電壓

          7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

          電阻率

          >1011 Ω·cm

          相對介電常數

          εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001

          透過波段

          190nm-3500nm

          可實現相位匹配的波段范圍寬

          409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

          熱光系數

          dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

          吸收系數

          <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

          接受角

          0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
          1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

          溫度接收角寬

          55 ℃·cm-1

          光譜接收

          1.1 nm·cm-1

          走離角

          2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

          非線性系數

          deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
          deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

          非線性磁化系數

          d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

          Sellmeier方程 (λ in μm )

          no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
          ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

          電光系數

          r22=2.7 pm/V

          半波電壓

          7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

          電阻率

          >1011 Ω·cm

          相對介電常數

          εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001


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