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        首頁 >產品展示 >產品詳情
        產品圖片
        DKDP開關
               磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學損耗低,消光比高,電光性能好,通常利用DKDP晶體的縱向效應制成電光調Q開關,主要適用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。(包括:美容,?醫療,科研,軍事和航天等激光領域。)
        • 詳情介紹
        • 標準產品
        • 基本性質
        • 山東辰晶光電致力于高質量電光調Q開關的研發與生產,可根據客戶不同需求定制開關,如高低溫環境下應用的溫控調Q開關等。


          山東辰晶光電DKDP系列開關的產品特點:


              ● 高含氘量:>98%

              ● 高消光比 :5000:1

              ● 低電容 :3-5pF

              ● 高透過率:>99%

              ● 高損傷閾值:500MW/cm2

              ● 設計緊湊,便于調節

              ● 良好的密封,延長開關的工作壽命


        • 山東辰晶光電科技有限公司電光開關基礎型號:


          型號

          外殼尺寸公差

          (0~-0.1)×(±0.3mm)

          通光孔徑

          T%

          消光比

          1/4波電壓

          波前畸變

          電容

          QI-8Ga

          Ф19×24

          8

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          QI-8Gb

          Ф19×24.7

          8

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          QI-8Gc

          Ф19×27.2

          8

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          QI-8GPa

          Ф20×29

          8

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          QT-8GPa

          Ф28×30

          8

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          QL-10DPa

          Ф32×40

          10

          >98%

          >5000:1

          3400V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QL-10DPb

          Ф25×37

          10

          >98%

          >5000:1

          3400V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QI-10Ga

          Ф25.4×32

          10

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QI-10Gb

          Ф21×28.2

          10

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QI-10Gc

          Ф25.4×33

          10

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QI-10GPa

          Ф25.4×39

          10

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QL-11Da

          Ф32×35

          11

          >98%

          >5000:1

          3400V+/-100V

          <λ/8

          <5pF

          QI-12GPa

          Ф28×33

          12

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <6.5pF

          QT-12GPa

          Ф32.5×50

          12

          >98%

          >5000:1

          3200V+/-100V

          <λ/8

          <4.5pF

          抗損閾值:》500MW/cm2,10ns,10Hz @1064nm   

        • 暫無
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